厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
功能：512K X 36 Dual-port SRAM, 10 ns, PBGA256
中文描述：512K X 36双端口SRAM,10纳秒,PBGA256
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规格参数
出厂包装说明 BGA-256
状态 有效
技术 CMOS
包装形状 方形
封装形式 网格阵列,低姿态
表面贴装 是
终端形式 BALL
端子间距 1 mm
终端涂层 铅锡
终端位置 底部
功能数量 1
端子数 256
包主体材料 塑料/环氧树脂
温度等级 商用
内存宽度 36
组织 512K X 36
存储密度 1.89E7 deg
操作模式 异步
字数 524288 Words
字数代码 512K
最大工作温度 70℃
最小工作温度 0.0℃
电源电压 - 最大（Vsup） 2.6 V
电源电压最小值（Vsup） 2.4 V
电源电压标称值（Vsup） 2.5 V
记忆体IC型号 双端口SRAM
并行/串行 并行
访问时间 - 最大（TACC） 10 ns
深圳市齐禾电子有限公司
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