制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 450 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: 62 mm
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
Pd-功率耗散: 1600 W
工厂包装数量: 10
