简介：

标准包装：3000

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：760mA

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 600mA，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：5.1nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：75pF @ 25V

功率 - 最大：540mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-3

包装：卷带

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