数据列表 IPB,IPP015N04N G
产品相片 TO-220-3
标准包装 ? 500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 OptiMOS™
包装 ? 管件 ?
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 20000pF @ 20V
功率 - 最大值 250W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
其它名称 IPP015N04NG
IPP015N04NGHKSA1
IPP015N04NGXKSA1
SP000391520
SP000680760
