FDT3612
主要参数：
分立半导体产品
FET 类型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.7A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 120 毫欧 @ 3.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 632pF @ 50V
功率 - 最大值 ：1.1W
安装类型 ：表面贴装
封装 ：TO-261-4，TO-261AA
原装进口★现货正品★原厂授权中国分销商
深圳市汇景欣电子有限公司是专业的电子元器件分销商，具有良好的供货渠道和多年的行业经验，现已获美国德州仪器（TI ）、日本瑞萨（RENESAS）等多个国际半导体品牌的分销资格，在香港和深圳备有大量现货。
公司一直以诚信为基础，互信互惠为宗旨，服务于中国中小企业、行业研发、科学院校等领域，能够为OEM、ODM、EMS客户提供周到的元器件配套服务。
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