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IRFP4668pbf ,分立半导体产品

2025-8-20 15:27:00
  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司现货销售

全新原装,公司现货销售。

数量:8700pcs。

参数:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss) 200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.7 毫欧 @ 81A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 241nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 10720pF @ 50V

功率 - 最大值:520W

安装类型: 通孔

封装/外壳:TO-247-3