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M25P32-VME6G

2017-8-17 10:20:00
  • M25P32-VME6G代理M25P32-VME6G现货供应. MICRON M25P32-VME6G 芯片, 闪存 串行口 分页 32M 存取时间: - 时钟频率: 50MHz 闪存配置: 4M x 8位 芯片接口类型: 串行, SPI MSL: MSL 3 - 168小时 封装类型: VDFPN 存储器容量: 32Mbit 存储器类型: 闪存 针脚数: 8 工作温度最高值: 85°C 工作温度最小值: -40°C 封

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MICRON M25P32-VME6G 芯片, 闪存 串行口 分页 32M

存取时间: -

时钟频率: 50MHz

闪存配置: 4M x 8位

芯片接口类型: 串行, SPI

MSL: MSL 3 - 168小时

封装类型: VDFPN

存储器容量: 32Mbit

存储器类型: 闪存

针脚数: 8

工作温度最高值: 85°C

工作温度最小值: -40°C

封装: 每个

SVHC(高度关注物质): No SVHC (17-Dec-2014)

电源电压最大值: 3.6V

电源电压最小值: 2.7V

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中芯国际28纳米芯片加载主流智能手机 核心芯片制造首次落地中国关键词:集成电路晶圆,智能手机 核心芯片制造,28纳米芯片时间:2015-08-10 13:19:06 来源:中电网

中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,今日宣布采用其28纳米工艺制程的 Qualcomm®骁龙™410处理器已成功应用于主流智能手机,这是28纳米核心芯片实现商业化应用的重要一步,开启了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。这也是中芯国际继去年年底宣布成功制造 Qualcomm Technologies 的处理器后,在28纳米工艺合作上再次取得重大突破性进展。

Qualcomm骁龙410处理器集成4G LTE连接,面向大众市场智能手机提供丰富的功能,与40纳米工艺相比,以28纳米工艺制造的处理器逻辑密度翻倍,速度提高20%至30%,功耗降低30%至50%。

中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示:“首批采用中芯28纳米工艺制程的产品质量表现良好,我们凭此获得了 Qualcomm Technologies 以及终端手机厂商的认可。这对整个产业链来说同样意义非凡,我们通过与 Qualcomm Technologies 的紧密合作,实现了中国内地制造核心芯片应用于主流智能手机零的突破,开创了28纳米先进制程手机芯片落地中国生产的新纪元。未来随着28纳米工艺的发展,我们期待为 Qualcomm Technologies 与其他全球客户提供更先进的工艺和更广泛的技术支持。”

Qualcomm Incorporated 总裁德里克•阿博利表示:“中芯国际28纳米工艺制造的骁龙410处理器是专为大众市场最新一代智能手机和平板电脑设计的一款领先芯片组,其应用于主流智能手机并实现商用,标志着 Qualcomm Technologies 和中芯国际在先进工艺制程和晶圆制造合作上再次取得重大进展。