DMP3065LVT-7 全新原装现货，特价销售
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: - 4.9 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.7 V
Qg-栅极电荷: 12.3 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-26-6
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
Ciss-输入电容: 587 pF
配置: Single
下降时间: 23.9 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 11.8 ns
系列: DMP3065
典型关闭延迟时间: 21.8 ns
