深圳市亚泰盈科电子，陈生

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该W25Q128BV （ 8M位）串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案空间，引脚和电源。

该25Q系列提供了灵活性和性能远远超出普通的串行闪存设备。

他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双代码执行/四路SPI （ XIP ）和存储的语音，文本和数据。

该器件工作于2.7V至3.6V单电源与电流消费低至4毫安主动和1μA的关断模式。

该W25Q128BV阵列是由每256个字节的可编程65,536页。多达256个字节可以在一个时间被编程。

网页可以在16组（ 4KB扇区擦除）被删除， 128组（ 32KB块擦除） ， 256 （ 64KB块擦除）组或整个芯片（芯片擦除） 。

该W25Q128BV有分别4096可擦除扇区和256擦除块。小4KB扇区允许更大灵活性，需要的数据和参数的存储的应用程序。 （见图2 ）该W25Q128BV支持标准的串行外设接口（SPI） ，

和高的性能双核/四输出以及双/四通道I / O SPI ：串行时钟，片选，

串行数据I / O0 （ DI ） ， I / O1（ DO）的I / O 2 （ / WP）和I / O3 （ / HOLD） 。

高达104MHz的SPI时钟频率被支持，允许208MHZ的等效时钟频率（ 104MHz的×2）为四路SPI双输出和280MHz （为70MHz ×4 ）使用快速阅读四路SPI指令时。

这些传输速率可以从执行标准异步8位和16位并行Flash存储器。

连续读取模式可实现有效的以少至8个时钟的指令开销的存储器访问来读取一个24位地址，允许真正的XIP操作（执行到位） 。

一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部，底部或补阵控制，提供了进一步的控制灵活性。

此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备标识与64位唯一序列号。