NSS40301MDR2G主要参数：
晶体管（BJT） - 阵列
晶体管类型 ：2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 3A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） ；115mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 180 @ 1A，2V
功率 - 最大值 ：653mW
频率 - 跃：迁 100MHz
封装：8-SOIC
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