SI8413DB主要参数：
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.8A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 48 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -
功率 - 最大值: 1.47W
封装: 4-XFBGA，CSPBGA
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