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SI8413DB

发布企业:深圳市汇景欣电子有限公司日期:2015/3/4 9:31:17
摘要:SI8413DB主要参数: FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能: 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss): 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.8A(Ta) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 48 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 21nC @

SI8413DB主要参数:

FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压(Vdss): 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.8A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 48 毫欧 @ 1A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 21nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -

功率 - 最大值: 1.47W

封装: 4-XFBGA,CSPBGA

原装进口★现货正品★ 厂商授权中国区分销商

深圳市汇景欣电子有限公司是专业的电子元器件分销商,具有良好的供货渠道和多年的行业经验,现已获美国德州仪器(TI )等多个国际半导体品牌的分销资格,在香港和深圳备有大量现货。

公司一直以诚信为基础,互信互惠为宗旨,服务于中国中小企业、行业研发、科学院校等领域,能够为OEM、ODM、EMS客户提供周到的元器件配套服务。

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