STP13NM60N ST TO-220 15+
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 11 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 8 ns
系列: STP13NM60N
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 30 ns
销售部:陈友进
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