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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
功率耗散: 790 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: Module
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 10
