制造商 IXYS
制造商零件编号 IXFN50N80Q2
描述 MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
标准包装 10
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 模块
系列 HiPerFET™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 50A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 13500pF @ 25V
功率 - 最大值 890W
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
