型号：IRF7401TRPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫欧 @ 4.1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1600pF @ 15V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRF7401PBFTR
标准包装：4,000
封装：SOP8
数量：15000
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，公司授权分销，正品原装 ，品质保证
现货供应IRF7401 IRF7401TRPBF，公司为一般纳税人，可以开17%增值税票，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
描述：
国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处
结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改引线框架用于增强热性能和多模能力使它成为理想的各种电源应用。
有了这些改进，多个设备可以在一个应用程序中使用大大减少了电路板空间。该包是专为气相，红外，或波峰焊技术
特点：
第五代技术
超低导通电阻
免费半桥
表面贴装
全额定雪崩
LEAD -FREE
深圳市勤思达科技有限公司
联系人：朱小玲
联系电话：13714022780
