型号：IRF7324D1
品牌：IR
描述：FETKY MOSFET / Schottky Diode
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：FETKY™
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：260pF @ 15V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：管件
其它名称：*IRF7324D1
标准包装：95
批号：2014+
数量：25600
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列产品，授权分销，大量原装库存
现货热卖IRF7324D1 IRF7324D1TR IRF7324D1TRPBF，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
描述
IRF7324D1家族的共同封装HEXFETs和肖特基二极管提供节省了一个创新的电路板空间的解决方案，用于切换设计师稳压器的应用程序。第5代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。结合这项技术与国际整流器公司的低正向压降肖特基整流器产生一个非常有效的装置，适用于很宽的使用各种便携式电子设备的应用程序
采采用SO-8已经通过定制的引线框架，可增强被修改热特性。在SO -8封装是专为气相，红外或波峰焊技术。
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