产品型号 IXFK32N100P
制造商编号 0
描述 MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
13 S 互導 - 最小值
IXYS 品牌
IXFK32N100 系列
Tube 封裝
TO-264-3 封裝/外殼
Through Hole 安裝風格
960 W Pd - 功率消耗
+ 150 C 最高工作溫度
225 nC Qg - 閘極充電
6.5 V Vgs th - 門源門限電壓
Single 配置
320 mOhms Rds On - 漏-源電阻
32 A Id - C連續漏極電流
30 V Vgs - 閘極-源極擊穿電壓
1 kV Vds - 漏-源擊穿電壓
N-Channel 晶體管極性
符合 RoHS RoHS
IXYS 製造商
Enhancement 通道模式
43 ns 下降時間
- 55 C 最低工作溫度
55 ns 上升時間
25 標準包裝數量
Polar, HiPerFET 公司名稱
76 ns 標準斷開延遲時間
