制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.75 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-2
封装: Rail
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 75 ns
正向跨导 - 最小值: 6 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 151 ns
典型关闭延迟时间: 34 ns
