制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Diodes Incorporated
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4.5 ns
系列: DMN3030
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 18 ns
