制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

商标: Diodes Incorporated

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V

Id-连续漏极电流: 540 mA

Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms

配置: Dual

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-563-6

封装: Reel

通道模式: Enhancement

下降时间: 36.1 ns

最小工作温度: - 65 C

上升时间: 13.3 ns

系列: DMN2004V

工厂包装数量: 3000

典型关闭延迟时间: 53.5 ns