制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Diodes Incorporated
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.17 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC59-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
系列: DMN100
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 25 ns
