制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 30 V
Id - Continuous Drain Current: 3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.4 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 75 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 3.5 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 30 ns
系列: FQP3N60
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 35 ns
单位重量: 0.063493 oz
