型号： IRFR18N15DTRR
品牌：IR
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：900pF @ 25V
功率 - 最大：110W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：带卷 (TR)
批号：2014+
数量：9850
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，公司现货库存热卖 IRFR18N15DTRR，正品原装，品质保证，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
