参数:
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物,
FET 功能: 逻辑电平门,
漏源极电压: (Vdss) 25V,
电流 - 连续漏极: (Id)(25°C 时) 5A (Tc),
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 24 毫欧 @ 4A,8V,
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.55V @ 250μA,
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2.8nC @ 4.5V,
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 340pF @ 12.5V,
功率 - 最大值: 2.3W,
安装类型: 表面贴装,
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线。