参数：
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物，
FET 功能： 逻辑电平门，
漏源极电压： (Vdss) 25V，
电流 - 连续漏极： (Id)（25°C 时） 5A （Tc），
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 24 毫欧 @ 4A，8V，
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 1.55V @ 250μA，
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2.8nC @ 4.5V，
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 340pF @ 12.5V，
功率 - 最大值： 2.3W，
安装类型： 表面贴装，
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线。
