参数：
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
功率 - 最大值： 1.1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
