热卖型号：K9F4G08U0B-PIB0 K9F4G08UOB-PIBO
原厂品牌：SAMSUMG（三星）
芯片类型：存储类芯片
存储容量：4G
包装方式：托盘
标准包装数量：960PCS/包
封装形式：TSOP-48
库存批次：1143+
库存数量：12800PCS
现货供应商：深圳市凌旭科技有限公司
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接上篇：新型汽车电子系统元器件解决方案
11、混合动力车（HEV)中的半导体器件解决方案
高电压带来的挑战是混合动力车必须解决的问题。几年前，汽车中的功率器件大多数都是55V到60V的MOSFET,主要用于汽车的动力传动系统。现在的汽车，包括混合动力汽车，则采用20V到600V的功率器件。对于动力转向及制动这类应用，开发工程师正在寻找具有低导通阻抗的高性能低压沟道型MOSFET,以降低汽车的功耗。
轻度、全面及插电式HEV更是需要600V到1200V之间的高电压系统，这使设计更具挑战性。除了需要高达600V到1200V的高电压能力外，也需要驱动逆变器和DC/DC转换器中前所未见的电流密度的开关。功率LV要面对这样的高功率、高电压以及高能源，就要以坚固耐用、可靠性和安全作为主要的条件。IR的Hauenstein博士曾表示，电机驱动IC的保护功能非常重要，在HEV牵引电机出现严重故障和短路时，免除了微型控制器的互动需要。因为这个问题在HEV逆变器，开关高电流、高电压IGBT时十分常见。”
IR的HEV方案系列也包括了具备非常低EMI和优化了的开关性能的驱动器及开关。例如最新的DirectFETMOSFET产品便完全不用键合线，并且因为消除了大部分的寄生电感，以及具备最小的封装电阻、卓越的开关性能和增强了的温度能效（例如双侧散热），这款十分先进的无键合线芯片尺寸封装让设计的体积显著减少，特别适用于高功率要求或者如HEVDC/DC转换器这些快速开关应用。
IGBT和功率MOSFET作为混合动力汽车的核心技术，吸引功率半导体厂商纷纷瞄准这个庞大的市场。ISuppli曾预测汽车IGBT市场有望以17.2的年复合增长率高速发展，位居汽车电源管理器件之首，MOSFET市场增长居其次。虽然在未来几年中混合动力车辆还将只是占据车辆市场的一小部分，但混合动力对逆变器和DC/DCR 的集中需求将形成市场对IGBT和功率MOSFET的巨大需要。
12、中国主要的汽车电子市场及发展机遇
安全、节能、环保以及智能和信息化，是未来汽车的发展趋势。中国汽车市场使得汽车娱乐系统得以快速的发展，而这种发展是在现有市场规模下的呈指数生长状态的增长。有市场研究表明，中国的总体汽车产量非常庞大，而车载娱乐系统数量也同样可观，主要提供IC支持服务。
汽车运用电脑作为平台达到车载通信、导航、视听娱乐、网络控制、为区域市场趋势的一体化而设计的集成多媒体信息系统等功能。有调查分析表明，中国现在市场发展的前景存在于大的汽车电子市场。而汽车行驶安全性和小型汽车相关的娱乐导航信息系统控制、车身电子相关控制等，将成为中国的汽车电子产品市场发展的主要方向。
本篇完（来源：元器件交易网）
