型号：FQPF5N60C
品牌：仙童
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：670pF @ 25V
功率 - 最大：33W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220F
包装：管件
标准包装：50
数量：9800
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营仙童系列MOS管，公司现货热卖FQPF5N60C，绝对正品原装
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佳能将收购Molecular Imprints 半导体业务
消息来源于：互联网
2014年2月14日电 /美通社/ -- 纳米图案成形系统与解决方案的市场与技术领导者 Molecular Imprints Inc. (MII) 今天宣布已签约将半导体压印光刻设备业务出售给日本东京的佳能 (Canon Inc.)。佳能目前生产并销售 KrF 准分子和 i 线照明光学光刻平台。为打入尖端高分辨率图案成形光刻设备市场，佳能2004年开始研究纳米压印技术。自2009年以来，该公司一直与 MII 及一家量产型半导体制造商携手采用 MII 的 Jet and Flash™ 压印光刻 (J-FIL™) 技术来进行开发。
Molecular Imprints 行政总裁 Mark Melliar-Smith 表示：「四年前我们与佳能共结商业联盟以向半导体行业提供技术主导型的低成本纳米光刻解决方案，我很高兴如今我们在追求这一目标上取得了巨大进步。在此成功的基础上，双方合并是自然而然的。」
2011年，佳能进入其「全球优良企业计划」(Excellent Global Corporation Plan) 的第四阶段，该计划的其中一项策略是通过全球多元化来实现业务发展。佳能技术总监 Toshiaki Ikoma 博士说：「收购 MII 将加强我们的『工业及其他』业务部门。由此带来的创新半导体制造机会让我们感到非常兴奋，我们期待在得克萨斯州奥斯汀建设出先进的技术开发能力。」
得克萨斯大学奥斯汀分校的 SV Sreenivasan 和 Grant Willson 两位教授所研发的技术为 Molecular Imprints 创立之初的开疆辟土奠定了基础。过去几年中，Molecular Imprints 一直与佳能及其他半导体行业基础设施合作夥伴携手让整个行业继续依照摩尔定律的指导方向，冲破分辨率的限制，同时避免光学和极紫外线 (EUV) 光刻成本负担的加重。最初用于生产的 J-FIL 技术计划在未来两年内用于高级闪存。
佳能将把 J-FIL 运用到先进半导体制造中，与此同时，该合并协议还允许分拆出一家新公司，保留原来的「Molecular Imprints」名称，而与佳能共同拥有的关键人才和权利也能保留在 MII 的知识产权组合中，再加上多个系统平台能够支持消费电子和生物医学应用对纳米级图案成形不断加大的需求，这些都形成了抢占领先地位的优势。Molecular Imprints 营运总监 David Gino 称：「我们期待为显示器、硬盘驱动器，生物技术和其他新兴市场带来低成本纳米级制造解决方案。」在与佳能的合并协议完成之前，新的 Molecular Imprints 将被分拆出来，Gino 先生则将担任这家新公司的行政总裁。
此项合并预计于2014年4月完成，须获股东及政府批准。
