场效应管 MOSFET N SO-8
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 5A
漏源电压, Vds: 150V
在电阻RDS（上）: 75mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs 典型值: 3V
功耗 Pd: 6.25W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
晶体管封装类型: SOIC
针脚数: 8
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
SMD标号: PHK5NQ15T
外部宽度: 4.05mm
外部深度: 5.2mm
外部长度/高度: 1.75mm
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
排距: 6.3mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 5A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 150V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 20A
表面安装器件: SMD
有意者可来电咨询
联系人：罗先生/王小姐
联系手机：15889669302/15818752606
联系电话：0755-22651942/229865401
深圳市福田区上步工业区204栋5楼东516室
