图像仅供参考,请参阅产品规格书 标准包装：4,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 10.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：9250pF @ 25V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：带卷 (TR)
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