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IPP50R199CP,分立半导体产品

2025-8-9 15:53:00
  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司现货库存销售

公司原装现货。

参数:

类别: 分立半导体产品

家庭: FET - 单

系列 :CoolMOS™

包装: 管件

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 标准

漏源极电压 (Vdss) 550V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 17A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 199 毫欧 @ 9.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 660μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1800pF @ 100V

功率 - 最大值 139W

安装类型: 通孔

封装/外壳 :TO-220-3

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