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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
制造商:Freescale Semiconductor
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS:
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:520 MHz
增益:13 dB
输出功率:8 W
汲极/源极击穿电压:40 V
漏极连续电流:4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:PLD-1.5
封装:Reel
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:62.5 W
产品类型:RF MOSFET Power
工厂包装数量:1000
电话：0755-82055964 手机：13631119558 13410068358 QQ: 746277983 1520285168
