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IMZA65R107M1H	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅 MOSFET 单管	Infineon 英飞凌	Infineon
IMZA65R107M1H	文件：1.05155 Mbytes Page：15 Pages	丝印：65R107M1；Package：PG-TO247-4-3；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.05155 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IMZA65R107M1HXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH	Infineon 英飞凌	Infineon
IMBG65R107M1H	文件：1.54264 Mbytes Page：15 Pages	650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.54264 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IMT65R107M1H	文件：1.45982 Mbytes Page：15 Pages	MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib 文件：1.45982 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IMW65R107M1H	文件：1.46377 Mbytes Page：15 Pages	650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.46377 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IMZA65R107M1H供应商更新时间2025-10-4 10:22:00