采用紧凑型 SMD 封装的 SiC MOSFET

CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。IMBG65R107M1H CoolSiC ™ MOSFET 650V 是一款紧凑型 SMD 7 引脚 SiC MOSFET，采用最先进的英飞凌 SiC 沟槽技术制造，用于中等功率应用。它经过优化，可实现最大的系统性能、紧凑性和可靠性。 • 第一代 CoolSiC ™ \n• 栅极电荷低\n• COSS中存储能量低\n• Qrr\n• 平坦 COSS\n• 平坦 RDS(on) 随温度变化;

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丝印：65R107M1；Package：PG-TO263-7-12；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

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MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib

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