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IMBG65R107M1H	文件：1.54264 Mbytes Page：15 Pages	丝印：65R107M1；Package：PG-TO263-7-12；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IMBG65R107M1HXTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IMT65R107M1H	文件：1.45982 Mbytes Page：15 Pages	MOSFET650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice Features •Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf •Superiorgateoxidereliability •Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior •LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature •Increasedavalanchecapability •Compatib	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IMW65R107M1H	文件：1.46377 Mbytes Page：15 Pages	650VCoolSiC짧M1SiCTrenchPowerDevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IMZA65R107M1H	文件：1.05155 Mbytes Page：15 Pages	650VCoolSiC짧M1SiCTrenchPowerDevice	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

更多IMBG65R107M1H供应商更新时间2025-8-2 17:51:00