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IMBG65R007M2H中文资料OptiMOS ™ 6 个双 N 通道 40 V MOSFET,采用可扩展电源块封装数据手册Infineon规格书
IMBG65R007M2H规格书详情
描述 Description
CoolSiC ™ MOSFET 650 V、7 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封装,以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
特性 Features
• 优异的品质因数 (FOM)
• D2PAK-7 SMD 中的个位数 RDS(on)
• 高稳健性和整体质量
• 灵活的驱动电压范围
• 支持单极驱动 (VGSoff=0)
• 最佳的抗开启效应能力
• 改进的 .XT 封装互连
应用 Application
• 储能系统
技术参数
- 制造商编号
:IMBG65R007M2H
- 生产厂家
:Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
:6.7 mΩ
- RthJCmax
:0.19 K/W
- VDSmax
:650 V
- Package
:D2PAK 7-pin
- Operating Temperature
:-55 °C to 175 °C
- Technology
:CoolSiC™ G2
- Polarity
:N
- Qualification
:Industrial
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
原封装 |
81220 |
郑重承诺只做原装进口货 |
询价 | ||
Infineon |
255 |
只做正品 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 | |||
INFINEON |
2423 |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
K-B |
1010 |
只有原装,请来电咨询 |
询价 |