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IMBG65R007M2H中文资料OptiMOS ™ 6 个双 N 通道 40 V MOSFET,采用可扩展电源块封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMBG65R007M2H

功能描述

OptiMOS ™ 6 个双 N 通道 40 V MOSFET,采用可扩展电源块封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 10:28:00

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IMBG65R007M2H规格书详情

描述 Description

CoolSiC ™ MOSFET 650 V、7 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封装,以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性 Features

• 优异的品质因数 (FOM)
• D2PAK-7 SMD 中的个位数 RDS(on)
• 高稳健性和整体质量
• 灵活的驱动电压范围
• 支持单极驱动 (VGSoff=0)
• 最佳的抗开启效应能力
• 改进的 .XT 封装互连

应用 Application

• 储能系统

技术参数

  • 制造商编号

    :IMBG65R007M2H

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C)

    :6.7 mΩ

  • RthJCmax

    :0.19 K/W

  • VDSmax

    :650 V

  • Package

    :D2PAK 7-pin

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :CoolSiC™ G2

  • Polarity

    :N

  • Qualification

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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PG-TO263-7
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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