IMBG120R078M2H数据手册Infineon中文资料规格书

描述 Description

CoolSiC ™ MOSFET 1200 V、78 mΩ G2 采用 D2PAK-7L（TO-263-7）封装，以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性 Features

• VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 78.1 mΩ
• 极低的开关损耗
• 过载工作温度高达 Tvj = 200°C
• 短路耐受时间 2 µs
• 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.2 V
• 具有抗寄生导通能力，可施加 0 V 关断栅极电压
• 坚固的体二极管，适用于硬换向
• .XT 互连技术，实现一流的热性能

应用 Application

• 电动汽车充电