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IKW40N120H3	文件：2.19149 Mbytes Page：16 Pages	1200V high speed switching series third generation Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120T2	文件：380.42 Kbytes Page：15 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop LowLossDuoPack:IGBTin2ndgenerationTrenchStop®withsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●BestinclassTO247 ●Shortcircuitwithstandtime–10s ●Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ●TrenchStop®2ndgenerationfor1200V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120CS6	文件：1.75145 Mbytes Page：16 Pages	High speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120CS7	文件：2.05206 Mbytes Page：16 Pages	Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP??IGBT 7 technology copacked with soft and fast recovery Emitter Controlled 7 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120T2	文件：598.14 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120T2_14	文件：598.14 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120CS7XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：INDUSTRY 14 PG-TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 483W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120T2FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 75A 480W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
40N120	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
40N120IHL	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTGN40N120	文件：1.50198 Mbytes Page：8 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystem	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGH40N120AN	文件：509.24 Kbytes Page：7 Pages	1200VNPTIGBT Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N120AN	文件：518.919 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N120ANTU	文件：518.919 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AN	文件：533.81 Kbytes Page：7 Pages	1200VNPTIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AN	文件：543.48 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching Description EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL40N120AN	文件：336.14 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.6V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGL40N120AND	文件：349.1 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.6V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGL40N120AND	文件：786.54 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IKW40N120
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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