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IKW30N65H5	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 分立器件高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP ™ 5 与 RAPID 1 快速和软反并联二极管一起采用 TO-247 封装，被定义为“同类最佳” IGBT。 • 650 V 击穿电压\n • 与 HighSpeed 3 系列相比：\n • Qg\n • 开关损耗降低 2 倍\n • VCEsat\n 降低 200 mV • 与快速硅二极管共同封装\n • 低 COES/EOSS\n • 温和的正温度。系数VCEsat\n • Vf\n 的温度稳定性;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW30N65H5	文件：2.20055 Mbytes Page：17 Pages	High speed switching series fifth generation 文件：2.20055 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW30N65H5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
AIGB30N65H5	文件：1.46738 Mbytes Page：14 Pages	High speed IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits: High speed H5 technology offering: • Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies • Plug and play replacement of previous generation IGBTs • 650V breakdown voltage • Low gate charge QG • Maximum junction temperature 175°C • Dynamically stress te 文件：1.46738 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP30N65H5	文件：1.93345 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation 文件：1.93345 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP30N65H5	文件：2.0796 Mbytes Page：17 Pages	High speed H5 technology offering 文件：2.0796 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Eon：
0.28 mJ
IC(@100°) max：
35 A
IC(@25° ) max：
55 A
ICpulsmax：
90 A
IFmax：
30 A
IFpulsmax：
54 A
Irrm：
11.5 A
Ptotmax：
188 W
QGate：
70 nC
Qrr：
410 nC
RGint：
0 Ω
RG：
23 Ω
td(off)：
190 ns
td(on)：
20 ns
tf：
19 ns
tr：
11 ns
VCE(sat)：
1.65 V
VCEmax：
650 V
VF：
1.55 V
Package：
TO-247-3
Switching Frequency：
30 kHz to 100 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™ 5

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