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AIGB30N65H5	文件：1.46738 Mbytes Page：14 Pages	Marking：AG30EH5；Package：PG-TO263-3；High speed IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresste	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AIGB30N65H5ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：DISCRETE SWITCHES	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP30N65H5	文件：1.93345 Mbytes Page：14 Pages	650VIGBThighspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKP30N65H5	文件：2.0796 Mbytes Page：17 Pages	HighspeedH5technologyoffering	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N65H5	文件：2.20055 Mbytes Page：17 Pages	Highspeedswitchingseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多AIGB30N65H5供应商更新时间2025-5-5 16:27:00