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IKP30N65F5	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 高速 650 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT5 可与 TO-247 封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。 • 650V 击穿电压\n• 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列\n• Qg 系数降低 2.5 倍\n• 开关损耗系数降低 2 倍\n• V CE (sat) 减少了 200mV\n• 采用英飞凌极速硅二极管技术\n• 低 C OES/E OSS\n• 温和正温度系数 V CE (sat)\n• Vf 的温度稳定\n\n优势:\n• 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性\n• 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性\n• 更高的功率密度设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP30N65F5	文件：2.08119 Mbytes Page：17 Pages	IGBT copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode 文件：2.08119 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP30N65F5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon
AIGB30N65F5	文件：1.48487 Mbytes Page：14 Pages	High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits: High speed F5 technology offering: • Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies • 650V breakdown voltage • Low gate charge QG • Maximum junction temperature 175°C • Dynamically stress tested • Qualified according to AEC-Q101 • Green package ( 文件：1.48487 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP30N65F5	文件：1.93829 Mbytes Page：14 Pages	High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOP™ 5 technology FeaturesandBenefits: HighspeedF5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •IdealfitwithSICSchottkyDiodeinboostconverters •Maximumjunctiontemperature175°C •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freel 文件：1.93829 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP30N65F5	文件：1.9361 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation 文件：1.9361 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
60 kHz
Switching Frequency max：
120 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™ 5
Voltage Class max：
650 V
IC @ 100° max：
35 A
VCE(sat)：
1.6 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.28 mJ
Eoff Hard Switching：
0.07 mJ
IF max：
36 A
Qrr：
410 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO220-3
td(on)：
18 ns
tr：
4 ns
td(off)：
174 ns
tf：
15 ns
QGate：
70 nC
IC @ 25° max：
55 A
IFpuls max：
90 A
VF：
1.35 V
Irrm：
14.4 A
ICpuls max：
90 A
tSC：
0 µs
Soft Switching：
no

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IKP30N65F5	Infineon(英飞凌)	24+	TO-220	1259	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	IKP30N65F5	Infineon(英飞凌)	2447	PG-TO220-3	115000	500个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
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