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IKB10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB10N60T	文件：643.39 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKD10N60R	文件：1.90634 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD10N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IKB10N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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