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IKB10N60T	文件：396.81 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air co 文件：396.81 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB10N60T	文件：643.39 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：643.39 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB10N60T_15	文件：643.39 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：643.39 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKB10N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、10 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-263 封装得益于沟槽+场终止概念的结合，采用TO-263-3 D2Pak封装的600 V/10 A硬开关第三代TRENCHSTOP™IGBT, 并集成柔软、快恢复的反并联发射极控制二极管，可显着提高器件的静态和动态性能。 • 非常低V CEsat，实现更低的通态损耗\n• 低开关损耗\n• 由于V CEsat呈现正温度系数特性，器件并联十分简便\n• 非常柔软的快速恢复反并联发射极控制二极管\n• 鲁棒性好，且温度特性稳定\n• 低 EMI 辐射\n• 低栅极电荷\n• 参数分布非常紧凑\n\n优势:\n• 高效率-低通态和低开关损耗\n• 600 V和1200 V的综合产品组合，造就灵活设计\n• 器件可靠性高;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
18 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.16 mJ
Eoff Hard Switching：
0.27 mJ
IF max：
20 A
Qrr：
380 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO263-3
td(on)：
12 ns
tr：
8 ns
td(off)：
215 ns
tf：
38 ns
QGate：
62 nC
IC @ 25° max：
24 A
IFpuls max：
30 A
VF：
1.6 V
Irrm：
10 A
ICpuls max：
30 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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