IKB10N60T数据手册Infineon中文资料规格书
IKB10N60T规格书详情
描述 Description
得益于沟槽+场终止概念的结合，采用TO-263-3 D2Pak封装的600 V/10 A硬开关第三代TRENCHSTOP™IGBT, 并集成柔软、快恢复的反并联发射极控制二极管，可显着提高器件的静态和动态性能。
特性 Features
• 非常低V CEsat，实现更低的通态损耗
• 低开关损耗
• 由于V CEsat呈现正温度系数特性，器件并联十分简便
• 非常柔软的快速恢复反并联发射极控制二极管
• 鲁棒性好，且温度特性稳定
• 低 EMI 辐射
• 低栅极电荷
• 参数分布非常紧凑
优势:
• 高效率-低通态和低开关损耗
• 600 V和1200 V的综合产品组合，造就灵活设计
• 器件可靠性高
应用 Application
• 焊接
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）
• 家用电器
• 家用空调
• 电机控制驱动器
技术参数
- 制造商编号
：IKB10N60T
- 生产厂家
：Infineon
- Product Status
：active and preferred
- Green
：yes
- Halogen-free
：yes
- Switching Frequency min
：2 kHz
- Switching Frequency max
：20 kHz
- Technology
：IGBT TRENCHSTOP™
- Voltage Class max
：600 V
- IC @ 100° max
：18 A
- VCE(sat)
：1.5 V
- Qualification
：Industrial
- Eon
：0.16 mJ
- Eoff Hard Switching
：0.27 mJ
- IF max
：20 A
- Qrr
：380 nC
- Driver Selection
：5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=600.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=23.0|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IKB10N60T
- Type
：IGBT + Diode
- Package name
：PG-TO263-3
- td(on)
：12 ns
- tr
：8 ns
- td(off)
：215 ns
- tf
：38 ns
- QGate
：62 nC
- IC @ 25° max
：24 A
- IFpuls max
：30 A
- VF
：1.6 V
- Irrm
：10 A
- ICpuls max
：30 A
- tSC
：5 µs
- Soft Switching
：no
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
16632 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
1000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263-3 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON |
2430+ |
TO-263 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2008 |
1000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 |
