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IGW30N65L5	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 分立器件英飞凌全新的 L5 低饱和电压（V CE（sat））TRENCHSTOP™IGBT 系列专门针对 50Hz 至 20kHz 的低开关频率进行了优化。创新的 55µ m TrenchStop ™5 薄晶圆技术的载体配置优化允许降低对内部低电平的传导损耗 –30A IGBT 时 1.05V，75A IGBT 时 1.10V。 • 最低饱和电压 V Ce（sat）仅为 1.05V\n• 30A IGBT 在 25°C 时的低开关损耗为 1.6mJ\n• 电气参数热稳定性高 - 只有2％的漂移随着 Tj 从 25°C 增加到 175°C\n• TO-247 4 引脚 Kelvin-发射极封装降低了 20％的开关损耗，因而提高了效率\n\n优势:\n• 50Hz 的效率更高\n• IGBT 寿命更长、可靠性更高\n• 热性能稳定，因此设计可靠性高;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGW30N65L5	文件：1.7819 Mbytes Page：13 Pages	650V IGBT Low VCE(sat) series fifth generation 文件：1.7819 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGW30N65L5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IGW40N120H3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon TO-247-3	Infineon 英飞凌上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	Infineon

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更多IGW30N65L5供应商更新时间2025-10-14 8:12:00