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IGW40N120H3	文件：1.89604 Mbytes Page：14 Pages	1200V high speed switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40N120H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 483W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N120H3	文件：2.19149 Mbytes Page：16 Pages	1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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IGW40N120H3

文件：1.89604 Mbytes

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1200V high speed switching series third generation

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

IGW40N120H3FKSA1

文件：100 bytes

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 483W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IKW40N120H3

文件：2.19149 Mbytes

Page：16 Pages

1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt

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详细参数

型号：
IGW40N120H3
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IGW40N120H3供应商更新时间2024-5-2 15:44:00

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