IGW30N65L5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

英飞凌全新的 L5 低饱和电压（V CE（sat））TRENCHSTOP™IGBT 系列专门针对 50Hz 至 20kHz 的低开关频率进行了优化。创新的 55µ m TrenchStop ™5 薄晶圆技术的载体配置优化允许降低对内部低电平的传导损耗 –30A IGBT 时 1.05V，75A IGBT 时 1.10V。

特性 Features

• 最低饱和电压 V Ce（sat）仅为 1.05V
• 30A IGBT 在 25°C 时的低开关损耗为 1.6mJ
• 电气参数热稳定性高 - 只有2％的漂移随着 Tj 从 25°C 增加到 175°C
• TO-247 4 引脚 Kelvin-发射极封装降低了 20％ 的开关损耗，因而提高了效率

优势:
• 50Hz 的效率更高
• IGBT 寿命更长、可靠性更高
• 热性能稳定，因此设计可靠性高

应用 Application

• 不间断电源（UPS）
• 太阳能
• 焊接 

简介

IGW30N65L5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGW30N65L5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。