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IGC28T65QE

650V Trench & Field Stop technology

Features: • 650V Trench & Field Stop technology • high speed switching series third generation • low VCE(sat) • low EMI • low turn-off losses • positive temperature coefficient • qualified according to JEDEC for target applications Applications: • uninterruptible power supplies • welding

文件:229.54 Kbytes 页数:4 Pages

INFINEON

英飞凌

IGC28T65QE

IGBT 裸片

英飞凌的 HighSpeed 3 系列在 25kHz 至 70kHz 频率范围内实现了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为,从而实现较低的关断损耗。 • 正温度系数\n • 轻松并联;

Infineon

英飞凌

SIGC28T65E

650V trench & field stop technology

文件:327.64 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

IGCM04F60GA

IPM模块

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市正纳电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IGCM06F60GA

IPM模块

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市正纳电子有限公司

INFINEON/英飞凌

技术参数

  • VCE(sat)max:

    2.22 V

  • VCEmax:

    650 V

  • VDSmax:

    650 V

  • VGE(th):

    4.2 V to 5.6 V

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Technology:

    IGBT HighSpeed 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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8000
只做原装现货
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INFINEON
23+
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INFINEON
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更多IGC28T65QE供应商 更新时间2026-1-23 15:01:00