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SIGC28T65E分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SIGC28T65E |
| 参数属性 | SIGC28T65E 封装/外壳为模具；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 3 CHIP 600V |
| 功能描述 | 650V trench & field stop technology |
| 封装外壳 | 模具 |
| 文件大小 |
327.64 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-21 17:34:00 |
| 人工找货 | SIGC28T65E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SIGC28T65E规格书详情
SIGC28T65E属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的SIGC28T65E晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
SIGC28T65EX1SA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop™
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.77V @ 15V，50A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
IGBT 3 CHIP 600V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
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询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
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35960 |
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询价 |
