丝印：4E；Package：PG-TSDSON-8-44；OptiMOSTM 7 Power-Transistor

Features • OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • RoHS compliant • 100% Avala

文件：2.92894 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

40 V、N 沟道、4.93 mΩ、汽车功率 MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ 7

高电流、低 RDS(on) 功率 MOSFET，采用 3x3mm² 先进无引线封装，并配有 Cu-Clip，可实现低封装 Ron 和最小杂散电感，具有高功率密度、低传导损耗和优化的开关行为，与传统引线封装相比，其尺寸更小，非常适合汽车应用，例如配电、车身控制模块和电动机。 • 3x3 mm² 小尺寸\n • 60 A 高电流能力\n • 采用尖端 OptiMOS ™ 7 40V\n • RDS(on) 范围 1.2 mΩ – 4.9 mΩ\n • 先进的无引线封装\n • 高雪崩能力\n • SOA 坚固性\n • 支持 PPAP 的设备;

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