IAUZN04S7N049中文资料40 V、N 沟道、4.93 mΩ、汽车功率 MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ 7数据手册Infineon规格书

厂商型号	IAUZN04S7N049
功能描述	40 V、N 沟道、4.93 mΩ、汽车功率 MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ 7
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-28 20:45:00
人工找货	IAUZN04S7N049价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

高电流、低 RDS(on) 功率 MOSFET，采用 3x3mm² 先进无引线封装，并配有 Cu-Clip，可实现低封装 Ron 和最小杂散电感，具有高功率密度、低传导损耗和优化的开关行为，与传统引线封装相比，其尺寸更小，非常适合汽车应用，例如配电、车身控制模块和电动机。

特性 Features

• 3x3 mm² 小尺寸

• 60 A 高电流能力

• 采用尖端 OptiMOS ™ 7 40V

• RDS(on) 范围 1.2 mΩ – 4.9 mΩ

• 先进的无引线封装

• 高雪崩能力

• SOA 坚固性

• 支持 PPAP 的设备

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