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HYG190C04LA1D4中文资料N+P MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG190C04LA1D4

功能描述

N+P MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-3 17:16:00

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HYG190C04LA1D4规格书详情

描述 Description

此器件为40V耐压、17/35mΩ内阻、 TO-252-4L N+P封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动等应用领域。

特性 Features

优异的Qg
低输入电容 
符合RoHS标准                                       
提升系统效率

应用 Application

电机驱动/DC-DC

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG190C04LA1D4

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :-16.5 / 23

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :21 / 40

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :29 / 62

  • PD@TC=25℃ (W)

    :21.4/21.4

  • Vgs(±V)

    :20/20

  • Vth (V)

    :1~3/-1~-3

  • Ciss Typ(pF)

    :631/1012

  • Qg Typ(nC)

    :14.3/20.1

  • Configuration

    :N+P

  • Package

    :TO-252-4L

  • Application

    :电机驱动 / 信号驱动

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华羿微
两年内
NA
792
实单价格可谈
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HY/华羿微
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TO-252-4
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TO-263-2L
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TO-220
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