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HYG180N10LS1D数据手册Huayi中文资料规格书

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厂商型号

HYG180N10LS1D

功能描述

SGT MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 18:30:00

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HYG180N10LS1D规格书详情

描述 Description

此器件为 100V、16mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG180N10LS1D

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :45

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :21

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :71.4

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :1590

  • Qg Typ(nC)

    :24.7

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-252-2L

  • Application

    :DC-DC / AC-DC同步整流

  • Status

    :MP

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